标签: 非晶氮化硅

安德森提出负U（电子吸引作用）解释非晶材料单占据自旋态稀缺性。本研究结合DFT结构采样与量子化学分析，发现非晶氮化硅（a-SiNx）中配位缺陷为电荷陷阱（密度约1e21/cm³），使单占据态能量不利；过量电荷通过键重组捕获，硅富集a-SiNx中硅-硅键网络呈幂律尺寸分布，大网络对应深陷阱，解释其作为闪存电荷存储层的原因。

标签: 电荷俘获 硅-硅键网络 负U 配位缺陷 非晶氮化硅