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作者: aeks | 发布时间: 2025-12-14 10:13
学科: 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术 计算机科学与技术
硅是现代半导体基础，但元件缩小导致发热和性能瓶颈。锗因优越电学特性及与硅制造兼容重获关注。英团队研发的硅基应变锗材料电荷迁移率远超硅，有望实现更快、低功耗电子设备且兼容现有硅技术。
标签: 半导体材料 电荷迁移率 硅兼容性 硅基应变锗 量子电子学
