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作者: aeks | 发布时间: 2025-11-27 18:03
学科: 化学工程与技术 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术
非传统外延技术需均匀二维表面。传统碳化硅制石墨烯高温（>1500°C）致表面不均，本研究用低温金属辅助石墨化在碳化硅上快速合成均匀单晶石墨烯，并成功制备高质量III-N（氮化铝、氮化镓）单晶薄膜。
标签: III族氮化物薄膜 二维材料外延 碳化硅上石墨烯 金属辅助石墨化