标签: 非易失性记忆

该标签下共有 1 篇文章

量子自旋霍尔绝缘体中的双稳态超晶格开关

作者: aeks | 发布时间: 2026-03-19 08:01

学科: 凝聚态物理 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术

科学家在单层TaIrTe₄材料中发现一种新型非易失性‘双稳态超晶格开关’:通过电场调控,可稳定开启或关闭一种纳米尺度的周期性原子排列,且该状态能保持数天、耐受70℃以上高温。这为开发低功耗新型存储器提供了新思路。

标签: TaIrTe₄ 双稳态超晶格 晶格-电子耦合 量子自旋霍尔绝缘体 非易失性记忆