标签: 准四面体结构

为研发低热导率材料，研究提出“强制键电离”策略，通过整合铜原子的平面三配位与四面体四配位冲突环境形成准四面体结构，使Cu5TeS3I3中Cu─I键部分电离，晶格热导率低至0.17 W/(m·K)，创致密无机多晶纪录。该材料兼具柔性与热电潜力，为准低热导率材料设计及柔性热电应用奠定基础。

标签: Cu5TeS3I3 准四面体结构 强制键电离 柔性热电材料 超低晶格热导率