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二维超导量子比特中毫秒级的寿命和相干时间

作者: aeks | 发布时间: 2025-11-06 03:44

学科: 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术 计算机科学与技术

材料改进可减少超导量子比特的损耗和退相干。本研究用高阻硅替代蓝宝石衬底,显著降低体损耗,45个二维transmon量子比特平均品质因数达9.7×10⁶,最佳达1.5×10⁷,寿命最长1.68毫秒。改进的低污染结沉积使相干时间T₂E超过T₁,单量子比特门保真度99.994%。该钽-硅平台工艺简单,可晶圆级制造,利于大规模量子处理器应用。

标签: transmon量子比特 品质因数 超导量子比特 量子处理器 高阻硅衬底