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作者: aeks | 发布时间: 2025-10-04 22:32
学科: 化学 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术
本文提出一种基于静电排斥的无刻蚀转移技术,用于范德华材料的大规模、高完整性、高洁净度转移,适用于CMOS工艺,显著提升二维晶体管性能。
标签: CMOS兼容 二维晶体管 无刻蚀转移 范德华材料 静电排斥