作者: aeks |
发布时间: 2025-12-17 12:03
学科:
材料科学与工程
电子科学与技术
计算机科学与技术
集成电路科学与工程
铁电电容存储器（FeCAP）在低功耗、高密度存内计算方面潜力巨大。传统铪基FeCAP虽与硅兼容，但存在存储窗口窄、开关场强高等性能局限。本研究开发出基于单晶钛酸钡（BTO）薄膜的FeCAP，通过外延剥离转移至硅平台。经结构与外延工艺优化，其存储窗口达308皮法，开关场强低至0.005兆伏/厘米，性能优于铪基器件，且转移后性能保持稳定，为BTO集成至工业流程、推动未来逻辑/存储应用提供可行路径。
标签:
CMOS集成
单晶钛酸钡
薄膜转移
铁电电容存储器