标签: 多级存储

NAND闪存是现代存储技术的核心，但传统“串”型架构需高压导通操作导致高功耗。新研发的超低功耗铁电场效应晶体管（FeFET）采用锆掺杂氧化铪栅堆叠和氧化物通道，实现每单元5位存储能力（与现有技术相当或更优），导通电压接近零，串级操作功耗降低96%。25纳米短通道垂直结构的三维集成仍保持稳定性能，为高容量、高效节能的下一代存储开辟道路。

标签: NAND闪存 三维集成 多级存储 超低功耗 铁电场效应晶体管