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作者: aeks | 发布时间: 2026-03-03 15:01
学科: 材料科学与工程 电子科学与技术 计算机科学与技术 集成电路科学与工程
本文报道了一种无需高精度光刻、可精准定位和调控尺寸的锗量子点新技术：利用斜切二氧化硅/非晶锗叠层，在硅纳米线沟道的台阶边缘原位形成锗量子点。该结构可制备单空穴晶体管，在高达50开尔文温度下仍能清晰观测到库仑振荡和库仑菱形，为可扩展、兼容现有芯片工艺的量子器件提供了新路径。
标签: 单空穴晶体管 无光刻制造 硅纳米线 量子限制 锗量子点