标签: 量子自旋霍尔效应

量子自旋霍尔效应是拓扑绝缘体的重要特性，能实现无耗散自旋极化边缘传输，但此前受限于低操作温度等问题难以应用。本研究在InAs/GaInSb/InAs三层量子阱中实现了该效应，工作温度达60开尔文，稳定性良好，为下一代拓扑电子器件开发奠定基础。

标签: 三层量子阱 拓扑电子学 拓扑绝缘体 量子自旋霍尔效应