标签: 应变量子阱

本文介绍了一种简单有效的新方法：在常温下让二维半导体材料（二硫化钼）产生明亮、稳定的局域激子发光。研究人员通过加热去除材料与金基底间残留的水分子层，使多余电子被金基底‘吸走’，再利用纳米孔产生的应变效应将激子高效‘捕获’在纳米尺度区域，实现了高达98%的激子束缚效率和接近10%的发光量子产率。

标签: 二维半导体 局域激子 应变量子阱 电荷中和 纳米光子学