该标签下共有 3 篇文章
作者: aeks | 发布时间: 2026-06-17 20:02
学科: 材料科学与工程 电子科学与技术 计算机科学与技术 集成电路科学与工程
科学家发现，用氧或氟预先处理二硫化钼（一种仅3个原子厚的新型半导体材料），再用等离子体刻蚀，能更精准地只去掉最上层硫原子而不损伤下层，为未来硅基与新型材料混合芯片制造提供新方案。
标签: 二硫化钼 二维半导体 原子层选择性去除 等离子体刻蚀 表面化学预处理
作者: aeks | 发布时间: 2026-03-28 09:01
学科: 光学工程 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术
本文介绍了一种简单有效的新方法：在常温下让二维半导体材料（二硫化钼）产生明亮、稳定的局域激子发光。研究人员通过加热去除材料与金基底间残留的水分子层，使多余电子被金基底‘吸走’，再利用纳米孔产生的应变效应将激子高效‘捕获’在纳米尺度区域，实现了高达98%的激子束缚效率和接近10%的发光量子产率。
标签: 二维半导体 局域激子 应变量子阱 电荷中和 纳米光子学
作者: aeks | 发布时间: 2026-01-09 21:04
学科: 信息与通信工程 光学工程 材料科学与工程 电子科学与技术
研究人员开发出能产生并探测极短紫外C激光脉冲的新平台，结合超快紫外C激光源与二维半导体探测器，为自由空间通信等未来技术奠定基础。
标签: 二维半导体 光子学组件 紫外C激光脉冲 自由空间通信 飞秒探测
