标签: 三层量子阱

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作者: aeks | 发布时间: 2025-10-25 10:59

量子自旋霍尔效应是拓扑绝缘体的重要特性，能实现无耗散自旋极化边缘传输，但此前受限于低操作温度等问题难以应用。本研究在InAs/GaInSb/InAs三层量子阱中实现了该效应，工作温度达60开尔文，稳定性良好，为下一代拓扑电子器件开发奠定基础。