科学家首次“看见”芯片内部的原子级缺陷

作者: aeks | 发布时间: 2026-03-07 00:03 | 更新时间: 2026-03-07 00:03

学科分类: 材料科学与工程 物理学 电子科学与技术 计算机科学与技术

本研究由康奈尔大学戴维·穆勒教授团队与台积电(TSMC)、ASM公司合作完成,发表于2024年2月23日《自然·通讯》。研究核心是一种名为‘电子叠层衍射成像’(electron ptychography)的先进电子显微技术,依托团队自主研发的电子显微镜像素阵列探测器(EMPAD)。该技术能以原子级精度重建晶体管沟道内部结构,首次直接观测到以往无法识别的界面‘鼠咬状’(mouse bite)缺陷——即原子尺度的微小凹坑或不平整,这类缺陷源于芯片制造中复杂的化学刻蚀、沉积与热处理步骤。随着晶体管尺寸缩小至仅15–18个原子宽,传统投影式成像已无法满足诊断需求;而新方法如同给制造流程装上‘实时显微眼’,可在每一道工艺后直接观察结构变化,精准关联工艺参数(如温度)与原子形貌。该技术不仅将大幅提升先进芯片(如手机、AI服务器芯片)的研发效率与可靠性,也为量子计算机等需极端材料精度的前沿技术提供关键表征工具。项目获台积电资助,康奈尔材料研究中心(CCMR)和PARADIM平台提供显微设施支持。

DOI: 10.1038/s41467-026-69733-1

标签: 半导体界面 晶体管缺陷 电子叠层衍射成像 芯片制造