科学家“拧一拧”晶体层，从内部改造物质

扭电子学（Twistronics）原本研究的是：将两层二维材料相对旋转一个微小角度，就能显著改变其电子特性——比如产生超导或绝缘态。过去这类研究主要依赖石墨烯等靠微弱范德华力结合的超薄材料。本研究首次将这一思路拓展到氧化物材料上：研究人员用钠铌酸盐（NaNbO₃）晶体膜作为模型，先在膜边缘刻制光学标记点，再通过显微操作精准控制两层膜的旋转角度；随后采用特制退火工艺，在层间形成牢固的化学键（而非以往的弱物理作用力）。同步辐射X射线衍射显示，这种强键合不仅把两层‘粘牢’，还会使界面处的原子晶格发生渐进式扭曲，并改变材料的相结构和畴组态。这意味着，扭转不仅能调控电子行为，还能主动‘重塑’材料内部原子排列。由于该方法可制备大面积、高结晶度的氧化物莫尔超晶格，且易于转移到不同基底上，因此具备实际器件应用潜力。研究团队指出，该技术可推广至多种复杂氧化物，为按需定制功能（如传感、存储、低功耗芯片）的氧化物电子学开辟了新平台。