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作者: aeks | 发布时间: 2026-05-04 00:02
学科: 材料科学与工程 电子科学与技术 计算机科学与技术 集成电路科学与工程
科学家用新型超小内存器件（仅25纳米）突破传统电子设备功耗瓶颈：利用氧化铪材料和创新结构设计，让内存越做越小、性能反而越好，未来手机、智能手表续航可大幅延长，AI芯片也更省电。
标签: 低功耗内存 氧化铪 纳米器件 铁电隧道结
作者: aeks | 发布时间: 2026-03-03 12:08
学科: 材料科学与工程 电子科学与技术 集成电路科学与工程
科学家首次在宽禁带半导体氧化镓（Ga2O₃）中实现了室温下稳定、可重复的铁电性。这种新型铁电材料厚度仅5纳米仍能可靠工作，突破了传统铁电材料的物理极限，有望让高功率电子器件与非易失性存储器集成在同一芯片上，大幅提升电子设备的能效和功能密度。
标签: κ相 室温铁电性 宽禁带半导体 氧化镓 铁电隧道结
