标签: 全耗尽绝缘体上硅

该标签下共有 1 篇文章

用硅基芯片的“不完美”特性实现随机与模拟图像处理

作者: aeks | 发布时间: 2026-03-22 21:02

学科: 控制科学与工程 电子科学与技术 计算机科学与技术 集成电路科学与工程

用硅基芯片的“不完美”特性实现随机与模拟图像处理

本文提出一种新思路:不再把硅基CMOS晶体管的固有‘缺陷’(如低频噪声和负微分电阻)当作需要消除的问题,而是巧妙利用它们实现图像加密、精准读取和灰度反转三种功能。仅用一个标准工业制造的晶体管,无需额外电路,就能完成这些原本需多个器件协同的工作,为低功耗、高集成度的智能传感芯片提供了新方案。

标签: 产生-复合噪声 全耗尽绝缘体上硅 类比图像处理 负微分电阻 非理想特性再利用