标签: 二硫化钼

研究实现了石墨烯和二硫化钼纳米机械谐振器在室温下的千兆赫兹多模振动，频率最高约1.09 GHz，品质因数达5400，为超高频传感、信号处理等应用提供可能。

标签: 二硫化钼 千兆赫兹振动 室温 石墨烯 纳米机械谐振器

铁电场效应晶体管（FeFET）是低功耗高速非易失性存储器，但此前难以缩小至5纳米以下且工作电压超1.5V。本研究用金属单壁碳纳米管作栅电极，将二硫化钼FeFET栅长缩小至1纳米，实现0.6V超低工作电压，开关比达2×10⁶，编程速度1.6纳秒，为亚1纳米芯片提供可能。

标签: 二硫化钼 亚1纳米节点 单壁碳纳米管 纳米栅铁电晶体管 超低工作电压

通信集成电路对太空探索至关重要，但太空辐射使其耐辐射电路实现困难。研究发现原子级薄材料辐射损伤极小，据此研制出基于二维MoS2的耐辐射射频系统，含收发器，成功发射至近地轨道，在轨9个月误码率低于10⁻⁸，地球同步轨道预计寿命约271年，展现二维电子器件航天应用前景。

标签: 二硫化钼 二维电子器件 射频通信系统 耐辐射 航天应用

材料手性调控在科技领域备受关注。本研究通过手性离子液体与电双层晶体管控制对映纯分子阳离子吸附，在非手性二硫化钼表面人工引入手性，经手性诱导自旋选择性和电磁手性效应证实，有望推动“手性离子电子学”发展及电控手性功能应用。

标签: 二硫化钼 手性 手性离子电子学 电双层晶体管 近邻诱导手性

本研究利用光的轨道角动量（OAM）实现非接触式、低功耗的多态光存储控制。OAM光在材料中产生纵向电场，显著提升陷阱态密度，从而精确调控读取电流、滞后窗口和电荷存储能力，为下一代高效能光学存储器件提供新路径。

标签: 二硫化钼 光存储 多态存储 轨道角动量 陷阱态