无损耗的高速半导体超表面技术
作者: aeks | 发布时间: 2025-12-29 09:01 | 更新时间: 2025-12-29 09:01
学科分类: 信息与通信工程 光学工程 材料科学与工程 电子科学与技术
无损耗的高速半导体超表面技术
有源超表面是一种由纳米结构组成的平面光学器件,能在超薄层内实现光的时空控制,为光通信、传感和计算等领域带来了前所未有的潜力。然而,长期以来,电导率(高速运行所需)和光损耗(影响性能)之间的权衡问题,一直阻碍着高速低损耗器件的实现。
为解决这一难题,研究团队实验演示了一种工作在1.5微米波长范围的有源超表面。该器件采用磷化铟(InP)薄膜平台,其中的n型磷化铟(n-InP)同时具备高电子迁移率和低自由载流子吸收的特性,有效打破了上述权衡。具体而言,器件核心是嵌入有机电光材料的n-InP薄膜高对比度光栅(InP HCG):这种光栅能形成一种高Q值的弗里德里希-温特根准连续域束缚态模式,将光高效捕获在有机电光材料中以实现调制;同时,InP HCG还能作为超低电阻的叉指电极,大幅提升调制速度。
实验结果显示,该有源超表面创下了17.5 GHz的调制带宽纪录(调制带宽指器件处理高速信号的能力),同时保持了102的高品质因数(Q值,反映光在谐振腔中存储能量的能力)和0.56 dB的超低光损耗(光在器件中传播的能量损失)。与硅基同类器件相比,其调制速度快了50倍。此外,器件的谐振波长调制效率达18 pm/V,未来通过优化光栅制备工艺以提高Q值,或采用更高电光系数的有机材料,效率有望进一步提升。
这项研究为突破吉赫兹频段、实现高速光的时空控制提供了关键技术路径,有望推动光通信、高速传感和光计算等领域的发展。