一种简单涂抹技术实现高效稳定钙钛矿LED

钙钛矿发光二极管（PeLED）的传统溶液基钝化方法常常会引入二次缺陷。本研究提出了一种分子定制的双界面钝化策略，该策略采用无溶剂擦涂转移法，能够实现均匀的分子沉积而不会产生二次缺陷。具体而言，将4-巯基吡啶（4-MPy）应用于埋底界面，将2-巯基吡啶（2-MPy）应用于钙钛矿表面。在埋底界面处，4-MPy可稳定Ni3+价态、减少氧空位并改善空穴注入。相比之下，表面沉积的2-MPy能与配位不足的Pb2+离子有效配位，形成宽带隙复合物，从而抑制陷阱态并增强载流子限制。结果表明，优化后的PeLED器件实现了24.67%的最大外量子效率和95.01坎德拉/安培的电流效率，这是溶液法制备的多晶CsPbBr3基PeLED的最高报道值。此外，在1000坎德拉/平方米的初始亮度下，器件的工作半衰期显著延长了近10倍。