这款新芯片能耐1300华氏度(700摄氏度)高温,或将彻底改变人工智能
作者: aeks | 发布时间: 2026-04-07 15:02 | 更新时间: 2026-04-07 15:02
学科分类: 材料科学与工程 电子科学与技术 计算机科学与技术 集成电路科学与工程
美国南加州大学(USC)研究团队在2026年3月26日《科学》(Science)期刊发表突破性成果:研制出全球首个能在700摄氏度(约1300华氏度)持续稳定工作的忆阻器(memristor)。这一温度远超熔岩(约600–700℃),也远高于此前同类器件的耐热纪录。实验表明,该器件在700℃下可连续存储数据超50小时无需刷新,承受超10亿次开关操作,仅需1.5伏电压,响应速度达数十纳秒——且未出现任何失效迹象;700℃实为实验设备所能达到的最高温限,并非器件性能上限。
该忆阻器采用三明治结构:顶部电极为熔点最高的金属钨(3422℃),中间为氧化铪陶瓷层,底部为单原子厚的石墨烯。研究人员原计划开发另一种石墨烯器件,却意外发现此组合具有惊人耐热性。深入分析揭示关键机制:高温下,传统器件中钨原子会穿过陶瓷层迁移到底部电极,形成短路;而石墨烯表面与钨原子“互不相容”(类似油与水),使钨原子无法附着、只能散开,从而彻底避免短路。该机理已通过高分辨电子显微镜、能谱分析和量子尺度模拟得到验证。
该技术意义重大。首先,它解决了深空探测(如金星表面温度约460℃,现有硅芯片迅速失效)、地热能源(地下数千米岩石可达红热状态)、核聚变装置等极端场景中电子设备“不敢用、不能用”的难题。其次,对人工智能至关重要:当前AI系统(如ChatGPT)92%以上的计算量是矩阵乘法,传统CPU需分步执行、耗能高;而忆阻器利用欧姆定律(电流=电压×电导),让电流流经器件时即完成并行计算,结果实时输出,效率提升数个数量级、能耗大幅降低。研究者已成立公司TetraMem,率先推出常温忆阻器AI芯片并投入机器学习应用;高温版本则有望让航天器、工业传感器等在源头实时处理数据,无需回传。
当然,走向实用仍有挑战:完整计算机还需配套的高温逻辑电路;目前器件为实验室手工制备,量产尚需时间。但材料基础扎实——钨和氧化铪已是成熟半导体材料;石墨烯虽较新,但台积电、三星等正积极推进晶圆级量产。本研究由USC牵头的“极端环境类脑计算中心”(CONCRETE)开展,获美空军科研办公室与空军研究实验室支持,并联合俄亥俄州AFRL材料实验室及日本熊本大学共同完成。研究者强调:这并非终点,而是关键的第一步——那个长期缺失的“高温记忆单元”终于被造出来了,通向高温智能计算的新边疆由此开启。