高层晶体管：让电路更小巧

在土地资源紧张的城市，人们通过建造摩天大楼来提高空间利用率。本文介绍了一项受此启发的芯片技术突破：台积电（TSMC）的廖世杰等研究人员在2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上报告了两种新型逻辑电路，其核心创新在于将两种不同类型的晶体管垂直堆叠在一起（即“互补场效应晶体管”，CFET结构）。过去几十年，半导体行业一直靠缩小晶体管尺寸、增加单位面积数量来提升芯片性能，但传统硅基材料已逼近物理极限，难以持续微缩。该研究通过新材料开发与器件结构创新，成功实现了更高密度的晶体管集成，为延续摩尔定律提供了新路径。通俗地说，就像盖楼从平铺改成立体分层，芯片也能‘向上发展’，在同样大小的芯片上塞进更多功能。