标签: 忆阻器射频开关

本文研发出一种新型毫米波可编程芯片，首次将二维六方氮化硼（hBN）忆阻器射频开关直接集成到氮化镓（GaN）微波集成电路背面工艺中，实现了低损耗、高隔离度、耐高温且长期稳定的高频开关性能，并成功用于可调衰减器、功分器和可编程谐振器。

标签: 六方氮化硼 后端工艺集成 忆阻器射频开关 毫米波可重构芯片 氮化镓微波集成电路