学科: 集成电路科学与工程

超宽禁带半导体适用于射频器件，但难同时实现浅能级掺杂与高导热性。本研究通过剥离层转移工艺将掺浅杂质的氧化镓薄膜异质集成到高导热氮化铝衬底上，制成高性能射频功率晶体管，为下一代射频应用提供可能。

标签: 射频功率器件 异质集成 氧化镓 氮化铝 超宽禁带半导体

NAND闪存是现代存储技术的核心，但传统“串”型架构需高压导通操作导致高功耗。新研发的超低功耗铁电场效应晶体管（FeFET）采用锆掺杂氧化铪栅堆叠和氧化物通道，实现每单元5位存储能力（与现有技术相当或更优），导通电压接近零，串级操作功耗降低96%。25纳米短通道垂直结构的三维集成仍保持稳定性能，为高容量、高效节能的下一代存储开辟道路。

标签: NAND闪存 三维集成 多级存储 超低功耗 铁电场效应晶体管