学科: 集成电路科学与工程

英特尔已签署收购AI芯片初创公司SambaNova的条款清单，协议非约束性尚未敲定。SambaNova估值下降，而英特尔在AI芯片领域落后，此举或为其强化AI战略。

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本期《Uncanny Valley》播客回顾了WIRED在旧金山举办的“Big Interview”活动，嘉宾包括AMD CEO苏姿丰、科学家埃里克·托波尔、旧金山市长丹尼尔·卢里等。他们探讨了AI泡沫争议、芯片需求、AI在医疗健康中的应用、旧金山住房与治理及科技伦理等热点话题，解析科技前沿趋势与社会影响。

标签: 人工智能 医疗健康 旧金山 科技治理 芯片

铁电电容存储器（FeCAP）在低功耗、高密度存内计算方面潜力巨大。传统铪基FeCAP虽与硅兼容，但存在存储窗口窄、开关场强高等性能局限。本研究开发出基于单晶钛酸钡（BTO）薄膜的FeCAP，通过外延剥离转移至硅平台。经结构与外延工艺优化，其存储窗口达308皮法，开关场强低至0.005兆伏/厘米，性能优于铪基器件，且转移后性能保持稳定，为BTO集成至工业流程、推动未来逻辑/存储应用提供可行路径。

标签: CMOS集成 单晶钛酸钡 薄膜转移 铁电电容存储器

超宽禁带半导体适用于射频器件，但难同时实现浅能级掺杂与高导热性。本研究通过剥离层转移工艺将掺浅杂质的氧化镓薄膜异质集成到高导热氮化铝衬底上，制成高性能射频功率晶体管，为下一代射频应用提供可能。

标签: 射频功率器件 异质集成 氧化镓 氮化铝 超宽禁带半导体

NAND闪存是现代存储技术的核心，但传统“串”型架构需高压导通操作导致高功耗。新研发的超低功耗铁电场效应晶体管（FeFET）采用锆掺杂氧化铪栅堆叠和氧化物通道，实现每单元5位存储能力（与现有技术相当或更优），导通电压接近零，串级操作功耗降低96%。25纳米短通道垂直结构的三维集成仍保持稳定性能，为高容量、高效节能的下一代存储开辟道路。

标签: NAND闪存 三维集成 多级存储 超低功耗 铁电场效应晶体管