学科: 集成电路科学与工程

英伟达新发布的Rubin芯片系统将人工智能模型运行成本降至当前领先的Blackwell系统的约十分之一，训练大型模型芯片用量仅需其四分之一。微软等合作伙伴将率先采用，有望大幅降低AI系统成本，巩固英伟达市场地位。

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有机薄膜晶体管（TFT）在柔性显示屏、传感器和电路中应用广泛，需兼具高开关电流比和特征频率。高特征频率需短沟道长度，常引发短沟道效应，难以兼顾。本研究突破限制，实现300nm沟道长度下无有害短沟道效应，在≤3V低压下，柔性有机TFT同时达到10^10开关电流比和40MHz特征频率，满足柔性高频低压电子系统需求。

标签: 低压操作 开关电流比 有机薄膜晶体管 柔性电子 特征频率

与2D平面芯片不同，这款3D原型向上堆叠超薄部件，以大量垂直连接紧密整合存储与计算单元，避免性能瓶颈。测试显示其性能优于2D芯片约一个数量级，且首次在商业代工厂生产，为芯片制造开启新纪元，满足未来AI千倍硬件性能需求。

标签: 3D芯片 单片3D集成 存储墙 微型化墙

英特尔已签署收购AI芯片初创公司SambaNova的条款清单，协议非约束性尚未敲定。SambaNova估值下降，而英特尔在AI芯片领域落后，此举或为其强化AI战略。

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本期《Uncanny Valley》播客回顾了WIRED在旧金山举办的“Big Interview”活动，嘉宾包括AMD CEO苏姿丰、科学家埃里克·托波尔、旧金山市长丹尼尔·卢里等。他们探讨了AI泡沫争议、芯片需求、AI在医疗健康中的应用、旧金山住房与治理及科技伦理等热点话题，解析科技前沿趋势与社会影响。

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铁电电容存储器（FeCAP）在低功耗、高密度存内计算方面潜力巨大。传统铪基FeCAP虽与硅兼容，但存在存储窗口窄、开关场强高等性能局限。本研究开发出基于单晶钛酸钡（BTO）薄膜的FeCAP，通过外延剥离转移至硅平台。经结构与外延工艺优化，其存储窗口达308皮法，开关场强低至0.005兆伏/厘米，性能优于铪基器件，且转移后性能保持稳定，为BTO集成至工业流程、推动未来逻辑/存储应用提供可行路径。

标签: CMOS集成 单晶钛酸钡 薄膜转移 铁电电容存储器

超宽禁带半导体适用于射频器件，但难同时实现浅能级掺杂与高导热性。本研究通过剥离层转移工艺将掺浅杂质的氧化镓薄膜异质集成到高导热氮化铝衬底上，制成高性能射频功率晶体管，为下一代射频应用提供可能。

标签: 射频功率器件 异质集成 氧化镓 氮化铝 超宽禁带半导体

NAND闪存是现代存储技术的核心，但传统“串”型架构需高压导通操作导致高功耗。新研发的超低功耗铁电场效应晶体管（FeFET）采用锆掺杂氧化铪栅堆叠和氧化物通道，实现每单元5位存储能力（与现有技术相当或更优），导通电压接近零，串级操作功耗降低96%。25纳米短通道垂直结构的三维集成仍保持稳定性能，为高容量、高效节能的下一代存储开辟道路。

标签: NAND闪存 三维集成 多级存储 超低功耗 铁电场效应晶体管