学科: 集成电路科学与工程

本文介绍一种新型‘光子滑雪跳台’芯片器件：将纳米级光波导直接集成在压电微悬臂梁上，实现从芯片表面直接发射并高速二维扫描高质量激光光束。它突破了传统光学扫描技术在光束质量与可扩展性之间的固有矛盾，为激光雷达、全息显示、量子计算和生物成像等应用提供了高效、紧凑、可量产的‘芯片到世界’光学接口。

标签: 二维光束扫描 光子滑雪跳台 压电微悬臂梁 芯片到世界接口 集成光子电路

Meta与博通合作，基于开源RISC-V架构自主研发AI芯片MTIA系列。首款MTIA 300已量产，用于优化Facebook、Instagram等内容推荐；MTIA 400/450/500将陆续于2027年推出，专注AI推理任务。此举标志社交平台首次大规模自研芯片，旨在更快适配飞速演进的AI需求。

标签: AI推理 AI芯片 MTIA RISC-V 定制芯片

城市土地紧张时，高楼大厦能高效利用空间；如今科学家把这思路用在芯片上——首次实现两种晶体管垂直堆叠的逻辑电路，突破传统材料限制，在更小面积内提升芯片性能。

标签: 互补场效应晶体管 垂直堆叠晶体管 摩尔定律延续 芯片空间优化 集成电路微缩

本文报道了一种无需高精度光刻、可精准定位和调控尺寸的锗量子点新技术：利用斜切二氧化硅/非晶锗叠层，在硅纳米线沟道的台阶边缘原位形成锗量子点。该结构可制备单空穴晶体管，在高达50开尔文温度下仍能清晰观测到库仑振荡和库仑菱形，为可扩展、兼容现有芯片工艺的量子器件提供了新路径。

标签: 单空穴晶体管 无光刻制造 硅纳米线 量子限制 锗量子点

科学家首次在宽禁带半导体氧化镓（Ga2O₃）中实现了室温下稳定、可重复的铁电性。这种新型铁电材料厚度仅5纳米仍能可靠工作，突破了传统铁电材料的物理极限，有望让高功率电子器件与非易失性存储器集成在同一芯片上，大幅提升电子设备的能效和功能密度。

标签: κ相 室温铁电性 宽禁带半导体 氧化镓 铁电隧道结

铁电场效应晶体管（FeFET）是低功耗高速非易失性存储器，但此前难以缩小至5纳米以下且工作电压超1.5V。本研究用金属单壁碳纳米管作栅电极，将二硫化钼FeFET栅长缩小至1纳米，实现0.6V超低工作电压，开关比达2×10⁶，编程速度1.6纳秒，为亚1纳米芯片提供可能。

标签: 二硫化钼 亚1纳米节点 单壁碳纳米管 纳米栅铁电晶体管 超低工作电压

Dean等人在《自然》（2026年第649卷）发表研究，实现了基于二次谐波共振的低功耗集成光放大。

标签: 二次谐波共振 低功耗集成光放大 集成光子学

英伟达正拓展AI市场中计算需求较低的客户，与Meta达成多年芯片交易（含CPU和GPU）。同时，科技巨头因AI需求变化及GPU短缺，正多样化芯片来源。

标签: AI芯片 CPU Meta 英伟达 计算能力多元化

阿瓜多将拓扑量子比特比作“量子信息的保险箱”，其信息分布在两个马约拉纳零模中，具天然保护，但读取困难。团队构建Kitaev最小链，用量子电容探针首次实时测量马约拉纳宇称，发现宇称相干时间超1毫秒，推动量子计算发展。

标签: Kitaev最小链 宇称相干 拓扑量子比特 量子电容探针 马约拉纳零模

保护量子比特免受噪声干扰对构建可靠量子计算机至关重要。拓扑量子比特通过马约拉纳零模编码信息，其费米子宇称需耦合两个马约拉纳才能测量。本研究利用量子电容实时读取最小Kitaev链中“穷人马约拉纳”的宇称，寿命超毫秒，解决了长期实验难题。

标签: Kitaev链 拓扑量子比特 费米子宇称 量子电容