学科: 集成电路科学与工程

科学家发现，用氧或氟预先处理二硫化钼（一种仅3个原子厚的新型半导体材料），再用等离子体刻蚀，能更精准地只去掉最上层硫原子而不损伤下层，为未来硅基与新型材料混合芯片制造提供新方案。

标签: 二硫化钼 二维半导体 原子层选择性去除 等离子体刻蚀 表面化学预处理

科学家首次在碳化硅晶体管中实现超低温下的‘类神经元尖峰放电’，能耗比传统芯片低数千倍，可集成于量子计算机内部，还能用于月球探测等深空任务。

标签: 极低温电子学 碳化硅 类脑电路 负微分电阻 量子计算硬件

科学家首次在微型光子芯片上实现了高性能飞秒激光器，脉冲能量达1.05纳焦、持续时间仅147飞秒，体积比传统设备小上千倍。这项突破有望让昂贵笨重的超快激光器变得便携、廉价，广泛用于环保监测、材料检测和医疗诊断。

标签: 光子芯片 硅基光子学 超快光学 集成飞秒激光器 马米舍夫振荡器

科学家研发出全球首款集成式‘谷电子学’芯片，能在室温下用光信号编码、传输和读取信息，无需超低温设备。该芯片体积小、精度高，为更快、更省电的计算及量子技术提供了新路径。

标签: 二维材料 室温量子技术 谷电子学 超构表面 集成光子芯片

本文介绍了一种新型光控概率比特（p-bit）器件，它用光产生随机性，用电压微调输出概率（精度达亚毫伏级）。这种‘随机性生成’与‘概率调控’分离的设计，让器件更稳定、更节能，能高效解决整数分解、最大割集等复杂计算问题。

标签: 亚毫伏调控 光控概率比特 整数分解 最大割集问题 概率计算

科学家开发出一种新方法，能在单晶硅芯片上垂直堆叠多层电路，不损伤底层元件。这突破了传统芯片只能在平面上缩小晶体管的物理极限，大幅提升计算密度、速度和能效，为AI等高算力需求提供新路径。

标签: 垂直堆叠芯片 摩尔定律延续 超薄硅纳米膜

本文提出一种新方法：用可卷曲转移印刷技术，将超薄单晶硅纳米膜（≤10纳米）在400℃低温下逐层堆叠，制成三维集成电路。该技术兼容芯片后道工艺，能批量制造高性能、高密度的硅基晶体管，性能接近传统前道工艺器件，为低成本研发和小批量原型验证提供了可行路径。

标签: 卷转印工艺 后道工艺兼容 无结晶体管 硅纳米膜

芯片越做越小已逼近物理极限，科学家转而研发‘立体芯片’——把晶体管像楼层一样堆叠起来。本文介绍一种用柔性硅纳米薄膜层层堆叠制成的三维晶体管电路，工艺简单、无需高温，却能保持硅的高性能晶体质量。

标签: 三维集成电路 晶体管堆叠 柔性电子 硅纳米薄膜

本文通俗解释了英伟达（NVIDIA）在AI领域的真正护城河——不是芯片本身，而是CUDA软件平台。它让GPU高效运行AI计算，其他公司难以复制。即使开源模型崛起，硬件竞争激烈，CUDA的生态绑定和深度优化能力仍使英伟达保持绝对优势。

标签: AI软件生态 CUDA GPU加速 并行计算 英伟达护城河

维也纳工业大学新研究发现：二维材料（如石墨烯）虽性能优异，但与绝缘层结合时会自然形成约0.14纳米的原子级缝隙，严重削弱器件性能，成为芯片进一步微型化的物理瓶颈。该发现可帮半导体行业避免数十亿美元无效投入。

标签: 二维材料 原子级缝隙 拉链材料 界面效应 芯片微型化