学科: 集成电路科学与工程

芯片越做越小已逼近物理极限，科学家转而研发‘立体芯片’——把晶体管像楼层一样堆叠起来。本文介绍一种用柔性硅纳米薄膜层层堆叠制成的三维晶体管电路，工艺简单、无需高温，却能保持硅的高性能晶体质量。

标签: 三维集成电路 晶体管堆叠 柔性电子 硅纳米薄膜

本文通俗解释了英伟达（NVIDIA）在AI领域的真正护城河——不是芯片本身，而是CUDA软件平台。它让GPU高效运行AI计算，其他公司难以复制。即使开源模型崛起，硬件竞争激烈，CUDA的生态绑定和深度优化能力仍使英伟达保持绝对优势。

标签: AI软件生态 CUDA GPU加速 并行计算 英伟达护城河

维也纳工业大学新研究发现：二维材料（如石墨烯）虽性能优异，但与绝缘层结合时会自然形成约0.14纳米的原子级缝隙，严重削弱器件性能，成为芯片进一步微型化的物理瓶颈。该发现可帮半导体行业避免数十亿美元无效投入。

标签: 二维材料 原子级缝隙 拉链材料 界面效应 芯片微型化

科学家开发出一种新型硅基‘电子传送带’技术，能让两个相距320纳米的电子自旋量子比特（qubit）动态靠近并完成量子态传输，突破了传统固定式自旋量子芯片布线拥挤、扩展困难的瓶颈，为制造实用化大规模量子计算机迈出关键一步。

标签: 可扩展量子硬件 硅基量子计算 自旋量子比特 量子传送带 量子隐形传态

科学家用新型超小内存器件（仅25纳米）突破传统电子设备功耗瓶颈：利用氧化铪材料和创新结构设计，让内存越做越小、性能反而越好，未来手机、智能手表续航可大幅延长，AI芯片也更省电。

标签: 低功耗内存 氧化铪 纳米器件 铁电隧道结

本文报道了一种新型微波单光子探测器，利用半导体双量子点与超导高阻抗微波腔耦合，实现了高达70%的探测效率。它可连续、被动工作，无需复杂重置，且频率可在3–5.2 GHz范围内灵活调节，为量子通信、传感和微波量子光学提供了实用新工具。

标签: 双量子点 微波单光子探测 电荷-光子强耦合 超导微波腔 量子电动力学

剑桥大学团队研发出一种新型铪基忆阻器，能耗极低、性能稳定，能模拟人脑神经元的学习方式。它可大幅降低AI硬件功耗，为更节能、更智能的类脑芯片铺路。

标签: 低功耗AI 存内计算 忆阻器 氧化铪 类脑计算

本文报道了一种新型二维材料发光晶体管，它能通过电压实时调控发光位置，从而大幅提升光与硅基波导的耦合效率。该器件在硅芯片上实现了高达67%的光耦合效率，为可重构光子电路提供了关键光源，解决了传统光电器件难以精准对准、性能固定等难题。

标签: 二维材料发光晶体管 动态发光定位 双极型场效应晶体管 可重构光子电路 硅基波导耦合

本文介绍了一种全硅基CMOS伊辛机：用单个硅晶体管同时充当振荡器和耦合器，通过调节栅极电压即可灵活调控振荡频率和耦合强度。它体积小、易量产、功耗低，成功解决了图分割（MaxCUT）等典型组合优化问题，为未来大规模、低功耗专用人工智能硬件提供了新路径。

标签: 伊辛机 振荡器耦合 栅压调频 硅基晶体管 组合优化

本文提出一种新型三维单片集成光子技术：将五氧化二钽（Ta₂O₅）光子器件直接全晶圆级、无缝集成到已刻蚀图案的薄膜铌酸锂（LN）衬底上。该技术兼顾低损耗、强非线性与电光调控能力，首次在单一芯片上同时实现高效率二次谐波产生（χ⁽²⁾）和四波混频（χ⁽³⁾）等多种频率转换功能，为高性能、低成本、可量产的集成光学芯片开辟新路径。

标签: 五氧化二钽 准相位匹配 薄膜铌酸锂 非线性频率转换